Диод типа металл-изолятор-металл (metal-insulator-metal – MIM) использует квантово-механический эффект: туннелирование электронов сквозь очень тонкий слой диэлектрика.
Исследователи на протяжении десятилетий пытались построить такой прибор, до сих пор без успеха", – заявил один из авторов работы Дуглас Кеслер (Douglas Keszler). А созданные в других лабораториях MIM-диоды не отличались высокой производительностью.
Этот диод может сочетать высокую скорость работы (электроны туннелируют мгновенно) и низкую цену (они будут значительно дешевле чипоа на базе кремния).
Ключом к новой вариации MIM-диода стало использование тонкого слоя аморфного металла в качестве контакта. Этот слой образует с диэлектриком бесшовное и плотное соединение буквально на атомарном уровне, так что электроны получают возможность беспрепятственно перепрыгивать через «барьер».
Американские физики говорят, что технология совместима с легкодоступными металлами (медью, никелем, алюминием). При этом возможна печать новых схем на крупных подложках из разного материала.
Результаты исследований опубликованы в статье: E. William Cowell III, Nasir Alimardani, Christopher C. Knutson, John F. Conley Jr., Douglas A. Keszler, Brady J. Gibbons, John F. Wager Advancing MIM Electronics: Amorphous Metal Electrodes. – Advanced Materials. – 25 OCT 2010. – DOI: 10.1002/adma.201002678.
"