Беспереходные транзисторы – нанотехнологическая новинка

Теперь током можно будет управлять через проводник толщиной всего 10 нм «сжатием» со стороны окружающего слоя, который ученые назвали «обручальным кольцом». Уменьшить размеры транизистора и улучшить его характеристики помогает отсутствие р- и n-переходов между полупроводниками. Не последнюю роль играет также низкая стоимость и простота изготовления новых транзисторов.

Впервые подобная структура, названная тогда устройством Лилиенфильда по имени изобретателя, была предложена в 1925 году, но только сейчас нанотехнологии позволили этой идее реализоваться.

"

Другие новости: