Устройства отличаются высокой эффективностью и по предварительным данным имеют значительный потенциал рабочего ресурса. Эти лазеры с непрерывной мощностью до 10 Вт будут использоваться в научных исследованиях, а также применяться в ряде практических областей.
В группе полупроводниковых лазеров нейтронно-физического отдела (НФО) ФИАН в течение ряда лет ведутся работы, направленные на повышение выходной мощности и срока службы лазерных диодов различных спектральных диапазонов. Полупроводниковый кристалл (чип) современного лазерного диода имеет миниатюрные размеры (0,1?0,5?3 мм), а накачка активной области кристалла осуществляется непосредственно от компактного безопасного низковольтного источника питания (рабочее напряжение около 2 В). Диодные лазеры как законченное устройство - наиболее легкие, компактные и экономичные среди существующих типов лазеров (полный КПД от розетки составляет около 50 %). Поэтому они - лидеры продаж лазерного рынка (по данным журнала Laser Focus, более 60% мирового производства лазеров).
Особый интерес для разработчиков представляют диапазоны длин волн 805-808 нм и 915-980 нм. Лазеры с такими характеристиками необходимы для научных исследований, они применяются для накачки твердотельных и волоконных лазеров. Эти лазеры широко используются в медицинской аппаратуре и навигационных приборах.
"
