JCSYS50A - SYS50BYAG Лазер для резки полупроводниковых пластин

Основные характеристики и технические параметры:
Длина волны лазера: 1.064 &# 956; m
Точность скрайбирования: &# 8804; ± 10 &# 956; m
Максимальная толщина скрайбирования: 1,2 мм
Ширина скрайбирования: &# 8804; 50 &# 956; m
Частота повторения лазерных импульсов: 200 &# 65374; 50 кГц
Максимальная скорость скрайбирования: 120 мм/с
Максимальная мощность лазера: &# 8805; 50 Вт
Размер рабочего листа: 350 &# 215; 350 мм
Источник питания: 380V &# 65288; 220V &# 65289;/50Hz/5KVA
Метод охлаждения: Установленная снаружи (интегрированная) циркуляционная система гидроохлаждения с постоянной температурой воды.
Рабочий стол: 2 воздушные вакуумные камеры, 2 Т-станции, работающие поочередно.
Режим управления: цифровой/нормальный: два режима работы: ручной и автоматический. В автоматическом режиме работы возможно проведение автоламинирования. При использовании ручного режима рабочие производят ламинирование вручную.